Вплив електромагнітного випромінювання на працездатність напівпровідникових приладів
Ключові слова:
електромагнітне випромінювання; напівпровідникові структури; поверхневі коливання; заряджені частинки; декремент коливань.Анотація
Наявність сильних електромагнітних полів суттєво впливає на працездатність систем керування та зв’язку, особливо в умовах наявності неоднорідностей у захисних екранах, коли поля проникають усередину радіоелектронного виробу. Наразі надзвичайно актуальним є експериментальне підтвердження можливості штатної роботи комутаційних пристроїв високого рівня струму під впливом високих рівнів електромагнітних полів. Використання Вихідного еталона України імпульсних електричних та магнітних полів (далі – еталон РЕМП), розробленого і створеного у Науково-дослідному та проєктно-конструкторському інституті “Молнія” НТУ “ХПІ” (НДПКІ “Молнія” НТУ “ХПІ”), дозволяє не тільки відтворити можливі діючі електромагнітні поля, що впливають на апаратуру, але й надати практичні рекомендації режимів найбільш надійної роботи комутаційної апаратури на напівпровідниковій елементній базі.
Розроблено й апробовано фізичну модель механізмів зворотних відмов напівпровідникових діодів (виникнення S-подібної ділянки вольт-амперної характеристики під дією електромагнітного випромінювання).
Порівняльний аналіз результатів експериментів та розрахункових даних дозволяє використовувати запропоновану фізичну модель зворотних відмов та розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик зворотних відмов і критеріїв їх виникнення. Проведені експериментальні дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольт-амперні характеристики ділянок прямого струму діодів. Результати показали наявність ділянок режиму генерації власних коливань цих приладів під впливом дії електромагнітного поля.
Посилання
Serkov A., Breslavets V., Breslavets Ju., Yakovenko I. Excitation of own oscillations in semiconductor components of radio products under the exposure of third-party electromagnetic radiation. Advanced Information Systems, 2022, vol. 6, no. 1, pp. 124–128. doi: https://doi.org/10.20998/2522-9052.2022.1.20
Serkov A., Breslavets V., Breslavets Yu., Yakovenko I. Mekhanizmy vplyvu zovnishnoho elektromahnitnoho vyprominiuvannia na pratsezdatnist aparatury zviazku [Mechanisms of influence of external electromagnetic radiation on the performance of communication equipment]. Control, Navigation and Communication Systems, 2022, vol. 2, no. 68, pp. 129–133 (in Ukrainian). doi: https://doi.org/10.26906/SUNZ.2022.2.129
Serkov A., Breslavets V., Fomenko A., Yakovenko I. Excitation of magnetoplasma oscillations in semiconductor structures by fluxes of charged particles. Advanced Information Systems, 2021, vol. 5, no. 3. pp. 18–21. doi: https://doi.org/10.20998/2522-9052.2021.3.03
Serkov A., Breslavets V., Yakovenko I., Dziabenko O. Excitation of surface vibrations of semiconductor structures exposed to external electromagnetic radiation. Advanced Information Systems, 2018, vol. 2, no. 3, pp. 142–146. doi: https://doi.org/10.20998/2522-9052.2018.3.25
Potylitsyn A.P. Transition radiation and diffraction radiation. Similarities and differences. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1998, vol. 145, issues 1–2, pp. 169–179. doi: https://doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00384-X
Rule D.W., Fiorito R.B., Kimura W.D. Noninterceptive beam diagnostics based on diffraction radiation. Beam instrumentation. Proceedings of 7th Workshop, Argonne, USA, 1996, pp. 510–517. doi: https://doi.org/10.1063/1.52327
Fiorito R.B., Rule D.W. Diffraction radiation diagnostics for moderate to high energy charged particle beams. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 2001, vol. 173, pp. 67–82. doi: https://doi.org/10.1016/S0168-583X(00)00066-5
Mkrtchyan A.R. et al. Coherent diffraction radiation from an electron bunch. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1998, vol. 145, issues 1–2, pp. 67–72. doi: https://doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00254-7
Shilliday T.S., Vaccaro J. (Eds). Physics of Failure in Electronics. Volume 5. RADS Series in Reliability. Rome Air Development Center, 2021.
Queisser H.J. Failure mechanisms in silicon semiconductors. Final Report Contract AF 30 (602)-2556. Report No. RADC-TDR-62-533. Rome Air Development Center, 1963. Available at: https://apps.dtic.mil/sti/tr/pdf/AD0297033.pdf
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
ПОЛІТИКА, ЯКА РЕКОМЕНДУЄТЬСЯ ЖУРНАЛАМ, ЩО ПРОПОНУЮТЬ ВІДКРИТИЙ ДОСТУП З ЗАТРИМКОЮ
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи, яка через 12 місяців з дати публікації автоматично стає доступною на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
